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LED驱动器低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA设计

发布时间:2019-02-08 19:09编辑:教育浏览(113)

      )在很多方面(比如使用寿命,能耗)都有着优于传统CCFL(Cold Cathode Fluorescent La,冷阴极荧光灯)数倍甚至数十倍的性能,所以,由它作为显示器背光已成为一种趋势。

      由于白光LED的亮度受其驱动电流影响较大,因此设计稳定电流的驱动器一直是一个技术热点,其中的一种方法是采用串联式的连接LED方式,这种方式结构复杂,而且需要电感,因此会产生EMI,且占用芯片面积大,成本高;另一种方式是采用电荷泵提供并联的几路恒定电流,这种方式无需电感,所以不会出现第一种方式的EMI等问题。本文所述的EA就是用于此种电荷泵的LED驱动器,它可保证充电电流恒定以实现低噪声工作。

      EA作为一种基本的集成电路(IC)模拟电路单元,以其高精准的电压基准、低噪声、高的电源噪声抑制比(PSRR)和高的共模抑制比(CMRR)。而被广泛用在了LDO驱动器、及射频电路中。文中设计了一款用于电荷泵的新型EA,与以前出现的EA相比,该EA的特点如下:

      1)误差放大器的输入级电源由电荷泵的稳定输出偏置,而非不断下降的,从而保证了供电的稳定性;

      2)引入动态补偿电路,以保证频率特性,同时降低了成本,传统的方法是用外接电容和其等效串连电阻进行频率补偿;

      4)一些附加电路,如:启动电路、负载电流采样、过流保护等可进一步提高整个电路的精度。

      该改进型误差放大器的电路以及一些附加电路和反馈电路如图1所示,为了方便分析,图中把各个功能模块用虚线 误差放大器

      (OTA),其它包含一级放大器Gml,二级放大器Gin2,和一个频率补偿电路。其中Gml是差分输入的基本对称OTA,它将从正端和负端分别反馈回来的基准电压和VOUT分压信号放大。偏置电流模块由M7、M8、M11、M12、M13、M14、M15以及R3组成。偏置电流I0是I3的两倍,由基准电压Vref、NMOS管M15的阈值电压和R3来设定。而M7和M8的源端都接到电荷泵的输出VOUT,因此可以通过设定M7、M8使误差放大器在VOUT达到某个值(如3.6 V)时才工作。同时这一部分还会产生一个SN信号来启动过流保护单元,并提供偏置。Gm1的输出级是一个电流放大结构,由M3、M6、M9和M10构成,放大比例为3:1,即: (W/L)6:(W/L) 5=(W/L)4:(W/L)3=3:1,其中W和L分别是晶体管的宽和长。这个比例是在折衷考虑增益带宽、相位余量和输出噪声后得到的。第二级放大电路的增益Gm2主要用来增加电路的开环增益,并减小误差放大器的输出阻抗,从而增大带宽。它是一个反相放大器,由M20和M21组成,两个管子都有较大的宽长比。频率补偿电路中M16和M20的宽长比决定了电路的低频开环增益。

      为了改善电路的频率特性,本设计中运用了两种补偿电路。一个是动态频率补偿电路,如图1中的由开关电阻和MOS管寄生电容组成的RC网络,它可以通过去采样负载电流来改变MOS管的工作点,即:通过改变开关电阻和MOS管寄生电容的值来实现动态补偿。由于其零极点频率会随负载电流的增加(减小)而增加(减小),因此,电荷泵单位增益频率(UGF)在负载变化时基本保持不变,这就保证了电荷泵在全负载范围内能够稳定工作。图1中的动态频率补偿电路包括M16、M17、M18、M19和C2,其中,M16、M18和C2不仅仅是放大器Gml的负载,同时还有频率补偿的功能。这里将M18的栅面积设计得很大,用以产生一个大的寄生电容。电流采样电路中的M31和M19组成一个镜像电流源,设计它们的W/L比为1:5。通过晶体管工作基本原理可知,M18的栅压VGM18为:

      从上式可以清楚的看到VGM18和IS的关系(采样电流,这里IS≈IGM/3000),即:VGM18随着IGM变化。也就是说RC动态补偿网将会随着IGM的变化而变化。

      电路中的另外一个频率补偿用到了第一和第二级放大器之间的电容C1,反馈从输出引入,这种方法同时增大了电路的PSRR。

      不同于传统方法,本设计将Gml差分输入的电源偏置连接在电荷泵的输出电压VOUT上,而不是VIN,这就使得此偏置电压非常稳定,其原因在于VOUT的纹波很小,而且噪声极低。

      然而,这种设计也会产生一个问题,即:VOUT在系统上电之初为零,而此时EA又不工作,使得整个电路无法工作,所以,需要增加一个启动单元,以使系统在刚上电时就可使电荷泵工作,从而使VOUT上升,当VOUT增大到阈值时,EA开始工作。当电路启动起来以后,电荷泵驱动电压则由EA输出控制M22、R4和M24使能开启电路,而M23、M25、M26和R5将其关断。

      系统中的电流采样电路采取一个与IGM成正比的小电流IS,此电路由M27、M28、M29和M30组成。应将M27的栅极和电荷泵中电流镜的栅极相连接,可将采样比例设定为1:3000。其采样原理如下:

      由于基准电路提供的是一个非常小的偏置电流(大概1μA),那么M28的栅源电压VGS也就很小,差不多就是其阈值电压。而M29的宽长比W/L被设计得很大,那么采样电流IS就很小,则M29的栅源电压VGS也很小,因此,M27和电荷泵中开关管的VDR

      N差不多大小。其过流保护电路包含M32、M33和M34。这里,M34和电流采样电路的M31相互镜像。它是通过采样电流IS来控制电荷泵中开关管的栅极电压,因此限制了最大值。在正常范围内,IS很小,M32和M34一起驱动,M33的VGATE为高,过流保护单元不工作。当IGM增加时,M34的VDRAIN(或者M33的VGATE)将慢慢减小。当增大到某个值时,M33完全导通,反馈回路将VDRIVER限制在某个值,从而限制IGM,实现过流保护功能。M32、M33和M34的尺寸在设计时应注意匹配。限流工作时,电路形成一个反馈回路,C3作为弥勒补偿以使限定电流稳定。2 仿真结果

      CE仿真在不同电源电压下频率与增益的比较结果,仿真结果表明在很宽的频率范围内.增益超过60 dB。

      不同电源电压下PSRR与频率的关系及不同IGM下CMRR与频率的关系分别在图3和图4中给出。结果表明,该电路的PSRR和CMRR分别可达到65 dB和70 dB。

      为了进一步测定设计的可用性,这里还绘制了一个用到该EA的恒流电荷泵版图,如图5所示,以便开展后续工作。

      本文基于对称OTA结构,设计了一款用于低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA,即在传统的设计基础上引入了动态频率补偿及弥勒补偿。新设计的EA不仅降低了输出波纹及噪声,而且改善了稳定性。从电路分析和仿线 MHz频率范围内,其增益高达60 dB,PSRR为65 dB,而CMRR则高达70 dB,系统达到了较高的性能。

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      OPA855是一款具有双极输入的宽带低噪声运动放大器,适用于宽带跨阻和电压放大器应用。将该器件配置为跨阻放大器(TIA)时,8GHz增益带宽积(GBWP)能够在低电容光电二极管应用中以高达几十千欧的跨阻增益。 下图展示了在将OPA855配置为TIA时该放大器的带宽和噪声性能与光电二极管电容的函数关系。计算总噪声时的带宽范围为从直流到左轴上计算得出的频率f.OPA855封装具有一个反馈引脚(FB),可简化输入和输出之间的反馈网络连接。 OPA855经过优化,可在光学飞行时间(ToF)系统中运行,在该系统中OPA855与时数转换器(如TDC7201)配合使用。可在具有差分输出放大器(如THS4541或LMH5401)的高分辨率激光雷达系统中使用OPA855来驱动高速模数转换器(ADC)。 特性 高增益带宽积:8GHz 解补偿,增益≥7V/V(稳定)

      低输入电压噪声:0.98nV /√ Hz 压摆率:2750V /μs 低输入电容: 共模:0.6pF 差动:0.2pF 宽输入共模范围: 与正电源相差0.4V 与负电源相差1.1V 3V PP 总输出摆幅 电源电压范围:3.3V至5.25V 静态电流:17.8mA 封装:8引脚WSON 温度范围:-40至+ 1...

      TLV1704-SEP 采用增强型航天塑料的 2.2V 至 36V 耐辐射微功耗四路比较器

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      一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 电源电压范围:2.2 V至36 V或±1.1 V至±18 V 低静态电流:每个比较55μA 输入共模范围包括两个轨 低传播延迟:560 ns 低输入失调电压...

      OPA2210是OPA2209运算放大器的下一代产品.OPA2210精密运算放大器基于TI的精密超级ß互补双极半导体工艺进行构建,从而可提供超低闪烁噪声,低失调电压和低失调电压温漂。 OPA2210可实现极低的电压噪声密度(2.2 nV /√ Hz ),同时仅消耗2.5mA (最大值)的电流。该器件还提供轨至轨输出摆幅,从而有助于最大限度地扩大动态范围。 在精密数据采集应用中,OPA2210可实现精度达16位的快速建立时间,即使对于10V输出摆幅也是如此。出色的交流性能以及仅50μV(最大值)的偏移和0.5μV/°C(最大值)的温漂使OPA2210非常适合高速,高精度应用。 OPA2210可在±2.25V至±18V的宽双电源电压范围或4.5V至36V的宽单电源电压范围内运行,并且具有-40°C至125°C的额定工作温度范围。 OPA2210采用8引脚VSSOP封 特性 精密超级 ß 性能:低失调电压:50µV(最大值)低失调电压漂移:0.5 µV/°C(最大值)超低噪声:0.1Hz 至 10Hz 低噪声:90nVPP低电压噪声:1kHz 时为2.2nV/√Hz低输入偏置电流:2nA(最大值)低静态电流:2.5mA/通道(最大值)短路电流:±65mA增益带宽积:18MHz压摆率:6.4V/µs宽电源电压范围...

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      PP 0.1Hz至10Hz噪声).OPA828具有±4V至±18V的宽电源电压范围,每通道电源电流仅为5.5mA(典型值)。 交流特性(包括50MHz增益带宽积(GBW)),150V /μs的压摆率和精密直流特性使得OPA828成为各种系统的理想选择。其中包括高速和高分辨率数据采集系统(例如16位和18位混合信号系统),跨阻(I /V转换)放大器,滤波器,精密±10V前端和高阻抗传感器接口应用。 OPA828器件可提供符合工业标准的8引脚SOIC表面贴装封装,额定工作温度范围为-40°C到+ 125°C。

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      AMC1302-Q1是一款精密隔离放大器,带有电容隔离栅,具有很高的抗磁干扰能力。该屏障提供5 kV RMS (最大)的增强隔离,具有非常长的寿命和低功耗。当与隔离电源一起使用时,该器件隔离了在不同共模电压电平下工作的元件。此外,AMC1302-Q1还可以保护低压器件免受损坏。 AMC1302-Q1的输入经过优化用于直接连接分流电阻器或其他低电压电平信号源。 ±50mV的输入电压范围可显着降低分流器的功耗。此外,AMC1302-Q1的低端电源电流和电压允许使用低成本的隔离电源解决方案。该器件的性能支持精确的电流控制,从而实现系统级功耗节省和低转矩纹波,这在电机控制应用中尤为重要。 AMC1302-Q1的集成输入共模过压和低侧电源电压检测功能简化了系统级诊断。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求: 温度等级1:-40°C至125°C,T

      A ±50 mV输入电压范围,用于低耗散,基于分流电阻的电流测量 固定增益低漂移:41±0.3%,±50 ppm /°C 低输入失调和漂移:±100μV,±0.8μV/°C 低非线 V电源下工作时极低的隔离高侧功耗 系统级诊断功能 安全相关认证: 7071-V PK 根据DI...

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      低噪声:20 nV /√ Hz 电源抑制比(PSRR):160dB 共模抑制比(CMRR):140dB AOL:160dB 静态电流:100μA 宽电源电压:±2.25V至±18V 轨至轨输出运行 输入包括负电源轨 低偏置电流:100pA(典型值) 已滤除电磁干扰(EMI)的输入 微型封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 精密...

      TLV6002-Q1 适用于成本敏感型汽车系统的 1MHz 低功耗运算放大器

      TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...

      INA821 失调电压为 35µV、噪声为 7nV/√Hz 的低功耗、精密仪表放大器

      INA821是一款高精度仪表放大器,可实现低功耗并且可在较宽的单电源或双电源电压范围内运行。可通过单个外部电阻器在1到10,000范围内设置任意增益。由于采用新的超β输入晶体管(这些晶体管可提供较低的输入失调电压,失调电压漂移,输入偏置电流以及输入电压和电流噪声),该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达±40V的过压保护。 INA821经过优化,可提供出色的共模抑制比。当G = 1时,整个输入共模范围内共模抑制比超过90dB。该器件可在4.5V单电源和高达±18V的双电源供电情况下实现低电压运行821可提供8引脚SOIC封装,额定温度范围为-40° C至+ 125°C。 特性 低失调电压:35μV(最大值) 增益漂移:5ppm /°C(G = 1), 50ppm /°C(G> 1) 噪声:7nV /√ Hz 带宽:5.6MHz(G = 1),280kHz(G = 100) 与1nF容式负载一起工作时保持稳定 输入保护电压高达±40V 共模抑制:110dB,G = 10(最小值) 电源抑制:110dB,G = 1(最小值) 电源电流:650μA(最大值) 电源范围: 单电源:4.5 V至36 V 双电源:±2.25V至±18V 额定温度范围: - 40°C至+ 125°C 封装:8引脚SOIC...

      TLV6001-Q1 适用于成本敏感型系统的低功耗、RRIO、1MHz 运算放大器

      TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...

      OPA859 具有 1.8GHz 单位增益带宽、3.3nV/√Hz 电压噪声的 FET 输入放大器

      OPA859是一款具有CMOS输入的宽带低噪声运算放大器,适用于宽带跨阻和电压放大器应用。将该器件配置为跨阻放大器(TIA)时,0.9GHz增益带宽积(GBWP)能够在低电容光电二极管应用中实现高闭环带宽。 下图展示了在将OPA859设置为TIA时该放大器的带宽和噪声性能与光电二极管电容的函数关系。计算总噪声时的带宽范围为从直流到左轴上计算得出的频率f.OPA859封装具有一个反馈引脚(FB),可简化输入和输出之间的反馈网络连接。 OPA859经过优化,可在光学飞行时间(ToF)系统中运行,在该系统中OPA859与时数转换器(如TDC7201)配合使用。可在具有差分输出放大器(如THS4541或LMH5401)的高分辨率激光雷达系统中使用OPA859来驱动高速模数转换器(ADC)。 特性 高单位增益带宽:1.8GHz 增益带宽积:900MHz 超低偏置电流MOSFET输入:10pA 低输入电压噪声:3.3nV /√ Hz 压摆率:1150V /μs 低输入电容: 共模:0.6pF 差动:0.2pF 宽输入共模范围:

      与正电源相差1.4V 包括负电源 TIA配置下的输出摆幅为2.5V PP 电源电压范围:3.3V至5.25V 静态电流:20.5mA ...

      LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz

      低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

      TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

      TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

      INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

      INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

      一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

      OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

      PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

      TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

      TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

      TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

      LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

      LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

      共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

      严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

    转载请注明来源:LED驱动器低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA设计